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2SC3218-M

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860 MHZ WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860 MHZ WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

NEC

瑞萨

2SC3218-M

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860-MHz WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

FEATURES • High gain and high power output at 860 MHz Pout = 52 W @ VCC = 28 V, Pin = 10 W, class AB • Push-pull structure allows easy design of wideband amplifier • Internal emitter balance resistor • Internal impedance matching circuit • High reliability due to gold electrodes

RENESAS

瑞萨

2SC3218-M

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860 MHZ WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

RENESAS

瑞萨

2SC3218-M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3218-M

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 860 MHZ WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

更新时间:2025-12-30 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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