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2SC3076-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-29 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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NA/
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TOSHIBA
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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