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TRANSISTOR(2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)(LOWSUPPLYVOLTAGEUSE)

2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=100WPEP ●PowerGain:Gp=13dB ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=−24dB(Max.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASI2SC2879isa12.5VtransistordesignedprimarilyforSSBlinearpoweramplifierapplicationsupto28MHz. FEATURES: •PG=13Typ.min.at100W/28MHz •IMD3=-24dBcmax.at100W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI

SILICONNPNEPITAXIALPLANARTYPE2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS(LOWSUPPLYVOLTAGEUSE)

2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=100WPEP ●PowerGain:Gp=13dB ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=−24dB(Max.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-14 12:06:01
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