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2SC2879A

SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE)

2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) ● Specified 12.5V, 28MHz Characteristics ● Output Power : Po = 100WPEP ● Power Gain : Gp = 13dB ● Collector Efficiency : ηC = 35 (Min.) ● Intermodulation Distortion : IMD = −24dB(Max.)

TOSHIBA

东芝

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI 2SC2879 is a 12.5 V transistor designed primarily for SSB linear power amplifier applications up to 28 MHz. FEATURES: • PG = 13 Typ. min. at 100 W/28 MHz • IMD3 = -24 dBc max. at 100 W(PEP) • Omnigold™ Metalization System

ASI

TRANSISTOR (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)(LOW SUPPLY VOLTAGE USE)

2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) ● Specified 12.5V, 28MHz Characteristics ● Output Power : Po = 100WPEP ● Power Gain : Gp = 13dB ● Collector Efficiency : ηC = 35 (Min.) ● Intermodulation Distortion : IMD = −24dB(Max.)

TOSHIBA

东芝

2SC2879A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC2879A

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 18V 25A 4-Pin 2-13B1A

更新时间:2025-11-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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NA/
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TOSHIBA/东芝
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