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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • NF 1.5 dB TYP. @ f = 1.0 GHz • MAG 14 dB TYP. @ f = 1.0 GHz

NEC

瑞萨

isc Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. ; @ f = 1 GHz • High Maximum Available Gain MAG = 14 dB TYP. ; @ f = 1 GHz APPLICATIONS • Designed for use as UHF oscillators and a UHF mixer in a tuner of a TV receiver.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-29 16:20:01
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