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2SB172晶体管资料

  • 2SB172别名：2SB172三极管、2SB172晶体管、2SB172晶体三极管

  • 2SB172生产厂家：日本松下公司

  • 2SB172制作材料：Ge-PNP

  • 2SB172性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SB172封装形式：直插封装

  • 2SB172极限工作电压：30V

  • 2SB172最大电流允许值：0.125A

  • 2SB172最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB172引脚数：3

  • 2SB172最大耗散功率：0.125W

  • 2SB172放大倍数：

  • 2SB172图片代号：C-47

  • 2SB172vtest：30

  • 2SB172htest：999900

  • 2SB172atest：0.125

  • 2SB172wtest：0.125

  • 2SB172代换 2SB172用什么型号代替：AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N11194,2SB54,2SB56,3AX52A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB172

GE PNP ALLOY JUNCTION

文件：39.89 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SB172

GE PNP ALLOY JUNCTION

ETC

知名厂家

2SB1721

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1721

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1721-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1721-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1721

Silicon Power Transistors

文件：155.47 Kbytes Page：6 Pages

NEC

瑞萨

2SB1721-Z

Silicon Power Transistors

文件：155.47 Kbytes Page：6 Pages

NEC

瑞萨

2SB1721-Z

Bipolar Power Transistors

RENESAS

瑞萨

2SB1722G

Silicon PNP epitaxial planar type

Panasonic

松下

2SB1722J0L

封装/外壳：SC-89，SOT-490 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 100V 0.02A SSMINI3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Panasonic

松下

2SB172产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB172

  • 功能描述

    TRANS PNP 100VCEO 20MA SSMINI-3

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

2SB172供应商更多...

更新时间：2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2SB1721-Z-E1
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2SB1721
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SB1721(O)-Z-E1
NEC
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TO-252
50000
原装现货
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