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2SB165晶体管资料

  • 2SB165别名：2SB165三极管、2SB165晶体管、2SB165晶体三极管

  • 2SB165生产厂家：日本日电公司

  • 2SB165制作材料：Ge-PNP

  • 2SB165性质：低频或音频放大 （LF）_输出极 （E）

  • 2SB165封装形式：直插封装

  • 2SB165极限工作电压：30V

  • 2SB165最大电流允许值：0.1A

  • 2SB165最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB165引脚数：3

  • 2SB165最大耗散功率：0.125W

  • 2SB165放大倍数：β=100

  • 2SB165图片代号：D-9

  • 2SB165vtest：30

  • 2SB165htest：999900

  • 2SB165atest：.1

  • 2SB165wtest：.125

  • 2SB165代换 2SB165用什么型号代替：AC122,AC125,AC126,AC151,AC152,2N1191,2N1192,2N1193,2N11194,2SB54,2SB56,3AX51A,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1653

SiliconPNPtriplediffusionplanartype(Forpowerswitching)

SiliconPNPtriplediffusionplanartype Forpowerswitching ■Features ●HighcollectortoemitterVCEO ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1655

PowerTransistor(-60V,-3A)

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1655

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •ExcellentDCcurrentgaincharacteristics •Lowcollectorsaturationvoltage •Wideareaofsafeoperation •Complementtotype2SD2394

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1655

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •ExcellentDCcurrentgaincharacteristics •Lowcollectorsaturationvoltage •Wideareaofsafeoperation •Complementtotype2SD2394

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1655

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •ExcellentDCcurrentgaincharacteristics •Lowcollectorsaturationvoltage •Wideareaofsafeoperation •Complementtotype2SD2394

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1657

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-126package •Lowcollectorsaturationvoltage •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foraudiofrequencyamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1657

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-126package •Lowcollectorsaturationvoltage •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foraudiofrequencyamplifierandswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1657

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-126package •Lowcollectorsaturationvoltage •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foraudiofrequencyamplifierandswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1657

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHINGPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORS

SILICONTRANSISTOR FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=−0.15VMax(@lC/lB=0.5A/25mA) •HighDCCurrentGain hFE=150to600(@VCE=−2.0V,lC=−0.5A)

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SB1657

SILICONTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHING PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORS FEATURES ·LowVCE(sat) VCE(sat)=-0.15VMax(@lC/lB=0.5A/25mA) ·HighDCCurrentGain hFE=150to600(@VCE=-2.0V,lC=-0.5A) ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS MaximumVoltageandCurrent(TA=25°C) Collectort

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SB1658

SILICONTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHING PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORS FEATURES ·LowVCE(sat) VCE(sat)=-0.15VMax(@lC/lB=1.0A/50mA) ·HighDCCurrentGain hEF=150to600(@VCE=-2.0V,lC=-1.0A)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SB1658

TO-126Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat) ●HighDCCurrentGain

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SB1658

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHINGPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORS

FEATURES •LowVCE(sat)VCE(sat)=−0.15VMax(@lC/lB=1.0A/50mA) •HighDCCurrentGainhEF=150to600(@VCE=−2.0V,lC=−1.0A)

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SB1658

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ▪WithTO-126package ▪Lowcollectorsaturationvoltage ▪HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foraudiofrequencyamplifierandswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1658

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ▪WithTO-126package ▪Lowcollectorsaturationvoltage ▪HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foraudiofrequencyamplifierandswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1658

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ▪WithTO-126package ▪Lowcollectorsaturationvoltage ▪HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foraudiofrequencyamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1658

PNPGeneralPurposeTransistor

FEATURES •HighCurrent •AmplifierandSwitchingApplications

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1658

SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highDCcurrentgain Applications Audiofrequencypoweramplifierandswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1658

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SB1655

SiliconPNPPowerTransistors

文件：206.79 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1655_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：151.23 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1655_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：151.23 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1657

SiliconPNPPowerTransistors

文件：102.64 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1657_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：153.13 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1657_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：153.13 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1658

SiliconPNPPowerTransistors

文件：102.51 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1658_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：152.85 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1658_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：152.85 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1659

SiliconPNPEpitaxialPlanarTransistor(Audio,SeriesRegulatorandGeneralPurpose)

文件：22.9 Kbytes Page：1 Pages

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

Sanken

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更新时间：2024-4-24 9:50:00
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