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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Medium Power Transistor (-60V, -2A) Features 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat)= −0.15V at IC/ IB= −1A / −50mA. 2) Collector-emitter voltage = −60V 3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board). 4) Complements the 2SD2391. | ROHM 罗姆 |   | ||
Medium Power Transistor (−60V, −2A) 文件：175.55 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
medium power transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium Power Transistor | Surge | | ||
PNP Transistors 文件：334.45 Kbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
PNP Transistor 文件：359.6 Kbytes Page：3 Pages | PJSEMI 平晶半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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