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2SB1561U	PNP Transistors	Surge	Surge
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2SB1561U	功率三极管	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2SB1561	Medium Power Transistor (-60V, -2A) Features 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat)= −0.15V at IC/ IB= −1A / −50mA. 2) Collector-emitter voltage = −60V 3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board). 4) Complements the 2SD2391.	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1561	Medium Power Transistor (−60V, −2A) 文件：175.55 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1561-Q	PNP Transistors 文件：334.45 Kbytes Page：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1561SQ	PNP Transistor 文件：359.6 Kbytes Page：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

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更新时间：2025-12-25 23:01:00

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2023-3-14
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2022-3-30
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9