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LowFrequencyTransistor(-20V,-5A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

EpitaxialPlanarTransistorPNPSilicon

EpitaxialPlanarTransistor PNPSilicon

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2025-6-13 14:43:01
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ROHM
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