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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA733 is designed for use in driver state of AF amplifier. FEATURES ● High hFE and Excellent Linearity : 200 TYP. hFE (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) | NEC 瑞萨 |   | ||
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of AF amplifier applicatioms. | DCCOM | | ||
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation | DAYA 大亚电器集团 | | ||
PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Complementary of the 2SC945 • Collector to base voltage: -60V | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：175.57 Kbytes Page：4 Pages | UTC 友顺 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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