型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1585STPQ

封装/外壳:SC-72 成形引线 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:TRANS PNP 20V 2A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Low VCE(sat) Excellent DC current gain characteristics. Power dissipation

DGNJDZ

南晶电子

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low VCE(sat) ● Excellent DC current gain characteristics. Power dissipation

JIANGSU

长电科技

Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package

Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Low VCE(sat),Excellent current gain characteristics; complementary pair with 2SC4115. Applications Low Frequency Amplifier.

FOSHAN

蓝箭电子

TRANSISTOR

DESCRIPTION PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.2V (Typ.)(IC/IB =-2A/-0.1A) APPLICATION Excellent current gain characteristics For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM, DVD-ROM, Note book PC, etc.)

JIANGSU

长电科技

Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.2V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.

ROHM

罗姆

2SA1585STPQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA1585STPQ

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-7 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
22+
SOT23
8000
原装正品支持实单
RohmSemiconductor
24+
SC-72-3SPT
7500
ROHM/罗姆
24+
SOT-89
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
ROHM/罗姆
23+
0415+
6500
专注配单,只做原装进口现货
TOSHIBA/东芝
2447
SOT-353
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
TOS
1922+
SOT323
3000
绝对进口原装现货
ROHM
/
TO-92S
110
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CJ/长电
24+
SOT-23
50000
只做原装,欢迎询价,量大价优
TOSHIBA/东芝
20+
SOT-323
120000
只做原装 可免费提供样品
TOSHIBA
25+
SOT-323
2692
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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