型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SA1585S

LowVce(sat)Transistor(-20V,-3A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SA1585S

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA1585S

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PD:0.4W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL
2SA1585S

LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.2V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SA1585S

TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Powerdissipation

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SA1585S

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES Powerdissipation PD:0.4W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SA1585S

LowVCE(sat)Transistor(−20V,−3A)

文件:91.27 Kbytes Page:4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SA1585S

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件:416.62 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA1585S

PNPPlastic-EncapsulateTransistor

文件:314.38 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES LowVCE(sat) ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.Powerdissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.Powerdissipation

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowVCE(sat),Excellentcurrentgaincharacteristics;complementarypairwith2SC4115. Applications LowFrequencyAmplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件:416.62 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件:416.62 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 短体 包装:散装 描述:TRANS PNP 20V 2A TO92S 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件:416.62 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 短体(成形引线) 包装:散装 描述:TRANS PNP 20V 2A TO92S 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

TRANSISTOR

DESCRIPTION PNPEpitaxialplanartypeSiliconTransistor FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) APPLICATION Excellentcurrentgaincharacteristics Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM,DVD-ROM,NotebookPC,etc.)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

2SA1585S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA1585S

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-5-19 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
2016+
TO-92S
4000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ROHM
1822+
TO-92S
6852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
长电/长晶
2021
TO-92S
19000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ROHM
24+
TO-92S
5100
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
CJ(江苏长电/长晶)
23+
TO-92S
100000
原装现货、价格优势、可开发票
CJ/长电
21+
TO-92S
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
CJ/长电
23+
TO-92S
50000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
长电
25+23+
TO-92S
23955
绝对原装正品全新进口深圳现货
ROHM
2024
TO-92
13500
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
PNPECB
24+
TO-92S
20000

2SA1585S芯片相关品牌

  • BILIN
  • Cree
  • DIT
  • ETC
  • HY
  • MOLEX2
  • OHMITE
  • RCD
  • SAMESKY
  • spansion
  • TOKEN
  • VBSEMI

2SA1585S数据表相关新闻