2SA1162S-GR价格

参考价格:¥0.1455

型号:2SA1162S-GR,LF 品牌:Toshiba 备注:这里有2SA1162S-GR多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SA1162S-GR批发/采购报价,2SA1162S-GR行情走势销售排行榜,2SA1162S-GR报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ● Low noise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ● Commplementary to 2SC2712. ● Small package. APPLICATIONS ● General purpose application.

BILIN

银河微电

PNP Silicon General Purpose Transistor

FEATURES • Low Noise: NF=1 dB(Typ.), 10 dB(Max.) • Complements of the 2SC2712 MECHANICAL DATA • Case: SOT-23, Molded Plastic • Weight: 0.008 grams(approx.)

SECOS

喜可士

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 150 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : 150 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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TOSHIBA

东芝

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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TOSHIBA

东芝

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:散装 描述:TRANS PNP 50V 0.15A SMINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

2SA1162S-GR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA1162S-GR

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-28 17:01:00
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