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2SA1162晶体管资料

2SA1162别名：2SA1162三极管、2SA1162晶体管、2SA1162晶体三极管
2SA1162生产厂家：日本东芝公司
2SA1162制作材料：Si-PNP
2SA1162性质：表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
2SA1162封装形式：直插封装
2SA1162极限工作电压：50V
2SA1162最大电流允许值：0.15A
2SA1162最大工作频率：>80MHZ
2SA1162引脚数：3
2SA1162最大耗散功率：0.15W
2SA1162放大倍数：
2SA1162图片代号：A-23
2SA1162vtest：50
2SA1162htest：80000100
2SA1162atest：0.15
2SA1162wtest：0.15

2SA1162代换 2SA1162用什么型号代替：BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,2SA1311,

2SA1162价格

参考价格：￥0.1819

型号：2SA1162-GR,LF 品牌：Toshiba 备注：这里有2SA1162多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SA1162批发/采购报价，2SA1162行情走势销售排行榜，2SA1162报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
2SA1162	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low noise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ● Commplementary to 2SC2712. ● Small package. APPLICATIONS ● General purpose application.	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1162	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 150 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : 150 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	TEL 东电电子	TEL
2SA1162	PNP Silicon General Purpose Transistor FEATURES • Low Noise: NF=1 dB(Typ.), 10 dB(Max.) • Complements of the 2SC2712 MECHANICAL DATA • Case: SOT-23, Molded Plastic • Weight: 0.008 grams(approx.)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	TRANSISTOR(PNP) FEATURES . Low noise : NF= 1dB(Typ.),10dB (Max.) . Complementary to 2SC2712. . Small Package. MARKING: SO , SY , SG	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1162	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162	PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712	YFWDIODE 佑风微电子	YFWDIODE
2SA1162	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA1162	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low noise ● Complementary to 2SC2712 ● Small Package	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1162	PNP General Purpose Transistor FEATURES PNP General Purpose Transistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
2SA1162	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQRENCY,LOW NOISE AMPLIFIER • Complemen to 2SC2712 • Collector-current:Ic=-100mA Collector-Emiller Voltage:VCE=-45V	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1162	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low noise : NF= 1dB(Typ.),10dB (Max.) Complementary to 2SC2712. Small Package.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SA1162	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features High voltage and current, excellent hFE linearity, high hFE, low noise, complementary to 2SC2712. Applications Audio frequency general purpose amplifier applications.	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1162	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES . Low noise . Complementary to 2SC2712 . S m a ll Package	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
2SA1162	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1162	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor 文件：410.41 Kbytes Page：4 Pages	BWTECH	BWTECH
2SA1162	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	PNP Silicon General Purpose Transistor 文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162-G	PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712	YFWDIODE 佑风微电子	YFWDIODE
2SA1162-GR	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162GT1	General Purpose Amplifier Transistors •Moisture Sensitivity Level: 1 •ESD Rating: TBD	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1162-O	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features • Capable of 0.15Watts of Power Dissipation. • Collector-current: 0.15A • Collector-base Voltage: -50V • Operating and storage junction temperature range: -55°C to +150°C • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Lead Free Finish/RoHS	MCC 美微科	MCC
2SA1162-O	PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712	YFWDIODE 佑风微电子	YFWDIODE
2SA1162S-Y-LF	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162-Y	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162-Y	PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712	YFWDIODE 佑风微电子	YFWDIODE
2SA1162YT1	General Purpose Amplifier Transistors •Moisture Sensitivity Level: 1 •ESD Rating: TBD	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1162-YTE85LF	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162_03	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162_07	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162_08	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：237.12 Kbytes Page：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1162_10	PNP Silicon General Purpose Transistor 文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162_15	PNP Transistors 文件：1.26454 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162_15	PNP TRANSISTOR 文件：98.23 Kbytes Page：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1162_15	PNP Transistors 文件：1.23112 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162_17	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1162-G	PNP Transistors 文件：1.26454 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162-G-HF	PNP Transistors 文件：1.27806 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162-GR	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor 文件：264.55 Kbytes Page：2 Pages	MCC 美微科	MCC
2SA1162-GR,LXHF	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ETC 知名厂家	ETC
2SA1162GT1	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：散装描述：TRANS PNP 50V 0.15A SC59 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1162-HF_15	PNP Transistors 文件：1.27806 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162-O	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor 文件：264.55 Kbytes Page：2 Pages	MCC 美微科	MCC
2SA1162-O	PNP Transistors 文件：1.26454 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162-O_13	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor 文件：264.55 Kbytes Page：2 Pages	MCC 美微科	MCC
2SA1162-O-HF	PNP Transistors 文件：1.27806 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162-Y	PNP Transistors 文件：1.26454 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162-Y	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor 文件：264.55 Kbytes Page：2 Pages	MCC 美微科	MCC
2SA1162-Y-HF	PNP Transistors 文件：1.27806 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

2SA1162产品属性

类型
描述
型号
2SA1162
制造商
Panasonic Industrial Company
功能描述
TRANSISTOR

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更新时间：2025-8-6 20:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SA1162	N/A	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SA1162	TOSHIBA/东芝	22+	SOT-23	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	2SA1162	BR/蓝箭	25+	SOT-23	54648	百分百原装现货实单必成	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SA1162	TOSHIBA/东芝	25+	SOT23-3	12423	TOSHIBA/东芝原装特价2SA1162即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市联世界科技有限公司	2SA1162	TOSH	24+/25+		3000	原装正品现货库存价优	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SA1162	长电	2021	SOT-23	180000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市恒佳微电子有限公司	2SA1162	恒诺芯科技	21+		10560	十年专营,原装现货,假一赔十	询价
上海专毅电子科技有限公司	2SA1162	长电/长晶	21+	SOT-23	9000	全新进口原装现货QQ：505546343手机17621633780曹小姐	询价
深圳市博科胜电子有限公司	2SA1162	CJ	22+	SOT-23	8900	全新正品现货有挂就有现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	2SA1162-GR,LF	TOSHIBA/东芝	21+	SOT23-3	9800	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价

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2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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