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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

SAMSUNG

三星

PNP Epitaxial Silicon Transistor

High Voltage Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= -250V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW • Complement to 2N6515

FAIRCHILD

仙童半导体

COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications.

CENTRAL

2N6518TA_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6518TA_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-29 11:10:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-92
7010
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
24+
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25+
TO-92-3
21000
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