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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 300V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW

Samsung

三星

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

CDIL

COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications.

Central

更新时间:2025-12-26 18:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)

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