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COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingapplications. Features •DCCurrentGainSpecifiedto15Amperes− hFE=20−150@IC=5.0Adc =5.0(Min)@IC=15Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=60Vdc(Min)−

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NPN/PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS

2N6486,6487,6488NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS 2N6489,6490,6491PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS GeneralPurposeAmplifierandSwitchingApplications

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半导体公司

boca

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

PowerTransistors

PowerTransistors

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ETC

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-21 20:17:01
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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