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位置：首页 > IC中文资料第5760页 > 2N593

2N593晶体管资料

  • 2N593别名：2N593三极管、2N593晶体管、2N593晶体三极管

  • 2N593生产厂家：CSR

  • 2N593制作材料：Ge-PNP

  • 2N593性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_SYM

  • 2N593封装形式：直插封装

  • 2N593极限工作电压：40V

  • 2N593最大电流允许值：

  • 2N593最大工作频率：>0.6MHZ

  • 2N593引脚数：3

  • 2N593最大耗散功率：0.125W

  • 2N593放大倍数：

  • 2N593图片代号：D-9

  • 2N593vtest：40

  • 2N593htest：600100

  • 2N593atest：0

  • 2N593wtest：0.125

  • 2N593代换 2N593用什么型号代替：AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX52D,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N593

BIDIRECTIONALTRANSISTOR

BidirectionalTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5930

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5930

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5932

iscSiliconNPNPowerTransistors

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5932

SiliconNPNPowerTransistors

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5933

iscSiliconNPNPowerTransistors

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5933

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=20A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5934

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=20A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5934

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=20A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5935

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=30A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforuseinpowerswitchingcircuits,audioamplifiers,seriesandshunt-regulators,driverandoutputstages,DC-DCconverters,inverters,andsolenoid

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5935

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@lc=30A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@lc=20A APPLICATIONS •Designedforuseinpowerswitchingcircuits,audioamplifiers,seriesandshunt-regulators,driverandoutputstages,DC-DCconverters,inverters,andsolenoid/r

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5936

SiliconNPNPowerTransistors

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5936

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=30A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforuseinpowerswitchingcircuits,audioamplifiers,seriesandshunt-regulators,driverandoutputstages,DC-DCconverters,inverters,andsolenoid

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5930

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

文件：12.15 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5931

iscSiliconNPNPowerTransistors

文件：141.88 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5931

SiliconNPNPowerTransistors

文件：130.3 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5932

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3

文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5933

BipolarNPNDevice

文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5934

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

文件：12.14 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5935

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

文件：12.14 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5935

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N5936

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N5936

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

文件：18.88 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5937

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5937

iscSiliconNPNPowerTransistors

文件：142.45 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5937

SiliconNPNPowerTransistors

文件：128.16 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N593产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N593

  • 制造商

    NJSEMI

  • 制造商全称

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述

    BIDIRECTIONAL TRANSISTOR

2N593供应商更多...

更新时间：2025-5-19 20:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
2N593A
MOTOROLA/摩托罗拉
专业铁帽
CAN3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
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深圳市科恒伟业电子有限公司
2N5933
ON
1738+
TO-3
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2N5936G
ON/安森美
23+
TO-3
3988
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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深圳市一线半导体有限公司
2N5937
MOT
24+
TO-3
10000
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
2N5941
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
275
现货供应
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上海金庆电子技术有限公司
2N594
TI
新
3
全新原装 货期两周
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深圳市蓝山航业科技有限公司
2N594
cartersemic
24+
500000
行业低价,代理渠道
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2N5935
Microchip Technology
25+
TO-204AA TO-3
9350
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深圳市豪迈兴电子有限公司
2N593
MOT
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深圳市昊创电子有限公司
2N593A
MOTOROLA
专业铁帽
CAN3
1200
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
询价

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