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DESCRIPTION
• DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A
• Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A
APPLICATIONS
• Designed for general purpose power amplifier and switching applications.
2N5932产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N5932
- 功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3VAR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
TO-3 |
10000 |
||||
ON |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Microchip Technology |
25+ |
TO-204AA TO-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
1200 |
原装现货假一罚十 |
|||
MOTOROLA |
专业铁帽 |
CAN3 |
1200 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
|||
MOT |
24+ |
CAN3 |
4326 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
TI |
新 |
3 |
全新原装 货期两周 |
2N5932 资料下载更多...
2N5932 芯片相关型号
- 2N6052
- 337-032-523-808
- C0603A100J101NT
- C0603F680J250ST
- C2012N680J250ST
- C3225F680J101NT
- E91F451VNT152MUA5T
- E91F451VNT182MCA5T
- E92L421VND152MBA0T
- EN6360QI
- EP5358LUA
- KB2450SYKW
- MHR0619SA255G20
- MHR0619SA256J70
- MHR0619SA305D70
- MHR0619SA305G20
- NLI102C563K___F
- NLI106D821K___F
- NLI108C330K___F
- NLI108D820K___F
- NLI81C330K___F
- NPIM187B200MTRF
- NPIM74PR68MTRF
- PBS-RB250SGESSCD5A0Z
- PBS-RB6X0SG1SSNE5A0Z
- PBS-RB6X0SGESSSD5A0Z
- XF0203W1
- XFEB160808-301-2A
- XFEB160808-600-0.8A
- XFEB201209-331-1.5A
2N5932 晶体管资料
2N5932别名：2N5932三极管、2N5932晶体管、2N5932晶体三极管
2N5932生产厂家：SEM_SSI_美国硅晶体技术公司
2N5932制作材料：Si-NPN
2N5932性质：开关管 （S）_功率放大 （L）_]
2N5932封装形式：贴片封装
2N5932极限工作电压：70V
2N5932最大电流允许值：30A
2N5932最大工作频率：>30MHZ
2N5932引脚数：2
2N5932最大耗散功率：175W
2N5932放大倍数：
2N5932图片代号：E-44
2N5932vtest：70
2N5932htest：30000100
- 2N5932atest：30
2N5932wtest：175
2N5932代换 2N5932用什么型号代替：BDW30,BDY29,BDY58,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DK108C,
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26365条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
