2N5935晶体管资料

  • 2N5935别名:2N5935三极管、2N5935晶体管、2N5935晶体三极管

  • 2N5935生产厂家:SEM_SSI_美国硅晶体技术公司

  • 2N5935制作材料:Si-NPN

  • 2N5935性质:开关管 (S)_功率放大 (L)_]

  • 2N5935封装形式:贴片封装

  • 2N5935极限工作电压:90V

  • 2N5935最大电流允许值:30A

  • 2N5935最大工作频率:>30MHZ

  • 2N5935引脚数:2

  • 2N5935最大耗散功率:175W

  • 2N5935放大倍数

  • 2N5935图片代号:E-44

  • 2N5935vtest:90

  • 2N5935htest:30000100

  • 2N5935atest:30

  • 2N5935wtest:175

  • 2N5935代换 2N5935用什么型号代替:BDW30,BDY29,BDY58,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DK108D,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5935

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 30A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for use in power switching circuits,audio amplifiers, series and shunt-regulators, driver and output stages,DC-DC converters, inverters, and solenoid

ISC

无锡固电

2N5935

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@lc=30A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ lc=20A APPLICATIONS • Designed for use in power switching circuits,audio amplifiers, series and shunt-regulators, driver and output stages,DC-DC converters, inverters, and solenoid /r

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5935

封装/外壳:TO-204AA,TO-3 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

2N5935

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件:12.14 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N5935产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5935

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    TRANS GP BJT NPN 80V 30A 3PIN TO-3 - Bulk

更新时间:2025-8-8 13:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
24+
CAN3
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原装现货/欢迎来电咨询
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原装现货假一罚十
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