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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR
| SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体 |  |   | |
NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers andswitchesrequiringcollectorcurrentsto100mA. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHoleTO-92Package •Capableof625mWattsofPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Mois | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 |  | | |
SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | | |
GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon 文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
2N4123TAR_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N4123TAR_Q
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Central Semiconductor Corp |
24+ |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!- |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
FSC |
24+ |
N/A |
4326 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
FSC |
21+ |
TO-92 |
4222 |
原装现货假一赔十 |
|||
FAIRCHILDRHILD |
24+ |
NA/ |
5250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
FSC |
07+ |
TO-92 |
4222 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
HGF |
2024 |
TO-92 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
|||
FSC |
24+ |
TO-92 |
1900 |
||||
2N4123 |
5000 |
5000 |
|||||
ANY |
新 |
321 |
全新原装 货期两周 |
2N4123TAR_Q芯片相关品牌
2N4123TAR_Q规格书下载地址
2N4123TAR_Q参数引脚图相关
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2019-7-17
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