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位置：首页 > IC中文资料第3133页 > 2N4123

2N4123晶体管资料

  • 2N4123别名：2N4123三极管、2N4123晶体管、2N4123晶体三极管

  • 2N4123生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_德国电子元件股份公司_美国

  • 2N4123制作材料：Si-NPN

  • 2N4123性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）

  • 2N4123封装形式：直插封装

  • 2N4123极限工作电压：40V

  • 2N4123最大电流允许值：0.2A

  • 2N4123最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N4123引脚数：3

  • 2N4123最大耗散功率：0.625W

  • 2N4123放大倍数：

  • 2N4123图片代号：A-31

  • 2N4123vtest：40

  • 2N4123htest：999900

  • 2N4123atest：0.2

  • 2N4123wtest：0.625

  • 2N4123代换 2N4123用什么型号代替：BC107,BC171,BC183,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BSW41,2N2220,2N2221,2N2222(A),2N2222,2N2221(A),3DK40A,

2N4123价格

参考价格：￥0.6218

型号：2N4123 品牌：NTE 备注：这里有2N4123多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N4123批发/采购报价，2N4123行情走势销售排行榜，2N4123报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N4123

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Samsung

三星

2N4123

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 100 mA.

Fairchild

仙童半导体

2N4123

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Through Hole TO-92 Package • Capable of 625mWatts of Power Dissipation • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Mois

MCC

2N4123

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors

Central

2N4123

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

MICRO-ELECTRONICS

2N4123

NPN General Purpose Amplifier

文件：84.11 Kbytes Page：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

2N4123

General Purpose Transistors

文件：121.29 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4123

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

文件：321.49 Kbytes Page：6 Pages

MCC

2N4123

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

文件：382.02 Kbytes Page：6 Pages

MCC

2N4123

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS

文件：84.54 Kbytes Page：1 Pages

Central

2N4123

General Purpose

文件：165.13 Kbytes Page：6 Pages

Motorola

摩托罗拉

2N4123

General Purpose Transistors NPN Silicon

文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4123

Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92

ETC

知名厂家

2N4123

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

Central

2N4123

中等功率双极型晶体管

MCC

2N4123_01

NPN General Purpose Amplifier

文件：84.11 Kbytes Page：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

2N4123_07

General Purpose Transistors NPN Silicon

文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4123_08

General Purpose Transistors

文件：121.29 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4123_11

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

文件：321.49 Kbytes Page：6 Pages

MCC

2N4123_13

NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

文件：382.02 Kbytes Page：6 Pages

MCC

2N4123_15

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS

文件：84.54 Kbytes Page：1 Pages

Central

2N4123-AP

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 30V 0.2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2N4123BU

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 包装：管件 描述：TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N4123RLRM

General Purpose Transistors NPN Silicon

文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4123产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N4123

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TO-92

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N4123供应商更多...

更新时间：2025-11-22 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2N4123TAR
FAIRCHILD/仙童
23+
33900
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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现代芯城（深圳）科技有限公司
2N4123
24+
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深圳市威尔健半导体有限公司
2N4123
FAIRCHILDRHILD
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TO-92
50000
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市一线半导体有限公司
2N4123
FSC
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1900
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深圳市安富世纪电子有限公司
2N4123
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TO-92
50000
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深圳市河锋鑫科技有限公司
2N4123
FAIRCHILDRHILD
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TO-92
6000
十年配单,只做原装
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深圳市威雅利发展有限公司
2N4123
FSC
07+
TO-92
4222
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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深圳市正迈科技有限公司
2N4123
FSC/ON
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深圳市亿智腾科技有限公司
2N4123TA
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深圳市豪迈兴电子有限公司
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