2N3904S-RTK/PS进口原装现货假一罚十

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2N3904S-RTK/P S进口原装现货假一罚十

2N3904S-RTK/P S

特征

低漏电流:Icex=50na(最大),Ibl=50na(最大)

优良的直流电流增益线性。

低饱和电压:VCE(SAT)=0.3V(最大)

低集电极输出电容:cob=4pf(最大)

补充2N3906S。

最大额定值

SOT-23包装

极性极性NPN

集电极发射极电压VCEO(V)40

集电极电流Ic(A)0.2

集电极功耗pc(w)0.35

直流电流增益hfe(min)100

直流电流增益hfe(最大)300

集电极-发射极饱和电压vce(sat)(max)(v)0.2

打开时间ton(max)()-

存储时间tstg(max)()200

关闭时间toff(max)()-

原子能委员会-Q原子能委员会-Q N

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型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications

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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

KECKEC CORPORATION

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NPN General Purpose Amplifier

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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Si-Epitaxial PlanarTransistors

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2025-8-7 20:16:00
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