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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2N4123RLRM | General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
2N4123RLRM | 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 包装：管件 描述：TRANS NPN 30V 0.2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
| Samsung 三星 | | ||
NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 100 mA. | Fairchild 仙童半导体 | | ||
NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Through Hole TO-92 Package • Capable of 625mWatts of Power Dissipation • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Mois | MCC | | ||
Small Signal Transistors Small Signal Transistors | Central | | ||
General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
2N4123RLRM产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N4123RLRM
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 200mA 40V NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
24+ |
N/A |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
ST |
23+ |
TO92 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
33900 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO92 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FSC/ON |
24+ |
TO-92 |
6250 |
||||
MOTO |
CAN |
12111 |
优势库存 |
||||
NSC |
16+ |
NA |
8800 |
原装现货,货真价优 |
|||
ST |
09+ |
TO92 |
504 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封□□ |
534 |
原装进口特价供应特价，原装元器件供应，支持开发样品更多详细咨询库存 |
|||
TOSHIBA |
2023+ |
TO-92L |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
2N4123RLRM芯片相关品牌
2N4123RLRM规格书下载地址
2N4123RLRM参数引脚图相关
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2019-7-17
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