2N3055C,V晶体管资料

  • 2N3055C,V别名:2N3055C,V三极管、2N3055C,V晶体管、2N3055C,V晶体三极管

  • 2N3055C,V生产厂家:德国电子元件股份公司

  • 2N3055C,V制作材料:Si-NPN

  • 2N3055C,V性质

  • 2N3055C,V封装形式:直插封装

  • 2N3055C,V极限工作电压:80V

  • 2N3055C,V最大电流允许值

  • 2N3055C,V最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N3055C,V引脚数:2

  • 2N3055C,V最大耗散功率

  • 2N3055C,V放大倍数

  • 2N3055C,V图片代号:E-44

  • 2N3055C,Vvtest:80

  • 2N3055C,Vhtest:999900

  • 2N3055C,Vatest:0

  • 2N3055C,Vwtest:0

  • 2N3055C,V代换 2N3055C,V用什么型号代替:BD315,BD745B,BDW51B,2N5629,2N5630,2N5631,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS

15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 2N3055(NPN)MJ2955(PNP) designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. 1.DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4Adc 2.Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS

15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS ...PowerBasecomplementarytransistorsdesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,d

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Generalpurpose ■Audi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

NPNTRANSISTORFORPOWERFULAFOUTPUTSTAGES

NPNTransistorforPowerfulAFOutputStage 2N3055isasinglediffusedNPNsilicontransistorinTO3case(3A2DIN41872).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorisparticularlysuitableforuseinpowerfulAFoutputstagesandinstabilizedpowersupplyunits.

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS

POWERTRANSISTORS(15A,50V,115W)

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MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
更新时间:2024-4-26 22:50:02
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