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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The μ PA2201T1M is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 18.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 9 A) RDS(on)2 = 27 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A) •

RENESAS

瑞萨

.100 RECEPTACLE STRIPS

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ADAM-TECH

亚当科技

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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