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High Speed Switching Application

Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial Applications • High-Speed Switching

TOSHIBA

东芝

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE for high speed switching application

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial

Features (1) Low forward voltage : VF(3) = 0.50 V (typ.) (2) Low reverse current : IR = 0.5 µA (max) (3) Small total capacitance : Ct = 3.9 pF (typ.) Applications • High-Speed Switching

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-10-27 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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