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1SS413CT

Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial

Features (1) Low forward voltage : VF(3) = 0.50 V (typ.) (2) Low reverse current : IR = 0.5 µA (max) (3) Small total capacitance : Ct = 3.9 pF (typ.) Applications • High-Speed Switching

TOSHIBA

东芝

1SS413CT

Small-signal Schottky barrier diode

TOSHIBA

东芝

封装/外壳:SOD-882 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

High Speed Switching Application

Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial Applications • High-Speed Switching

TOSHIBA

东芝

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE for high speed switching application

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

更新时间:2026-3-12 19:52:00
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