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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
35V Detection switch tube 文件：307.58 Kbytes Page：2 Pages |   | |||
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE 文件：307.58 Kbytes Page：2 Pages | | |||
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 文件：74.03 Kbytes Page：5 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator 文件：27.48 Kbytes Page：6 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator Features • Low capacitance. (C=3.0pF max) • Short reverse recovery time. (trr =8.0ns max) • High reliability with glass seal. | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | |
1S2076(TD-E)产品属性
- 类型
描述
- 型号
1S2076(TD-E)
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
7208 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
KISEMI |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
EPSON |
23+ |
NA |
4986 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
TOSHIBA |
24+ |
5000 |
|||||
1S2076T2 |
25+ |
4900 |
4900 |
||||
RENESAS |
08+ |
DO-41 |
552 |
||||
RENESAS |
25+ |
1200 |
公司现货库存 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
NA |
6540 |
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品! |
|||
RENESAS |
18+ |
DO-35 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
1S2076(TD-E)芯片相关品牌
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