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N-channel600V,0.260typ.,12AMDmeshDM2PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

Features •Fast-recoverybodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Lowon-resistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM2fastrecovery diodeseries.

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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Fast-recoverybodydiode

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Extremelyhighdv/dtruggedness

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更新时间:2024-6-14 16:16:01
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