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N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

Features • Fast-recovery body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Low on-resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery diode series.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Fast-recovery body diode

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Extremely high dv/dt ruggedness

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意法半导体

Extremely high dv/dt ruggedness

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意法半导体

更新时间:2025-12-29 18:13:01
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