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STF18N60DM2

N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

Features • Fast-recovery body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Low on-resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery diode series.

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意法半导体

STF18N60DM2

N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-220FP封装

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意法半导体

Fast-recovery body diode

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Extremely high dv/dt ruggedness

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意法半导体

Extremely high dv/dt ruggedness

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意法半导体

更新时间:2025-12-27 10:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220F
7828
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ST
TO-220F
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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