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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STW18N60DM2 | Extremely high dv/dt ruggedness 文件：711.38 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STW18N60DM2 | N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package Features • Fast-recovery body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Low on-resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery diode series. | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Fast-recovery body diode 文件：897.44 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely high dv/dt ruggedness 文件：716.6 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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