| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • Monolithic fast reverse diode • High Blocking Voltage • JEDEC TO-268 surface mount and JEDEC TO-247 AD packages • Low switching losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification Appl | IXYS 艾赛斯 |   | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • Monolithic fast reverse diode • High Blocking Voltage • JEDEC TO-268 surface mount and JEDEC TO-247 AD packages • Low switching losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification Appl | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage IGBT High Voltage IGBT Features • International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Rugged NPT structure • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications • Capacitor discha | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage IGBT High Voltage IGBT Features • International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Rugged NPT structure • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications • Capacitor discha | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage IGBT 文件：96.07 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
2540+ |
TO-247 |
8595 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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SHARP |
22+ |
TQFP |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
||||
SHARP |
16+ |
TQFP |
970 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
IXYS |
2447 |
TO-247AD |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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IXYS |
23+ |
TO-3P |
7000 |
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IXYS(艾赛斯) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
SHARP |
最新 |
BGA |
7869 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
SHARP |
20+ |
TQFP |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
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