型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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16N03L | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件:959.96 Kbytes Page:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G16N03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 67mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件:667.81 Kbytes Page:5 Pages | MCC | |||
N-channel TrenchMOS??logic level FET 文件:92.88 Kbytes Page:12 Pages | Philips 飞利浦 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-3-13
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