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PHD16N03LT中文资料
PHD16N03LT数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 67mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
PHD16N03LT产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHD16N03LT
- 功能描述
两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
更新时间：2025-7-28 9:11:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
SOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
PHI |
24+ |
6000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
恩XP |
17+ |
SOT428TO-252 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
PH |
24+ |
SOT428TO-252 |
8866 |
||||
恩XP |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
恩XP |
23+ |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
||||
PHI |
1709+ |
TO-252/D- |
32500 |
普通 |
|||
PHI |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
PHI |
23+ |
TO-252D-PAK |
125800 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
恩XP |
23+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 27255条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
