| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
110N10 | Trench Mosfet | GOFORD 谷峰半导体 |   | |
丝印代码：110N100；N-Channel Trench MOSFET Features Advanced trench cell design Low Thermal Resistance VDSS≥100V RDS(ON)≦4.1mΩ@VGS=10V | RECTRON 丽正 | | ||
丝印代码：110N10F7；N-channel 100 V, 5.1 m廓 typ., 110 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages 文件：1.23098 Mbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
丝印代码：110N10F7；N-channel 100 V, 4.9 m廓 typ.,110 A, STripFET??F7 Power MOSFETs in H짼PAK-2 and H짼PAK-6 packages 文件：863.8 Kbytes Page：19 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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High avalanche ruggedness 文件：1.03501 Mbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode PolarHT™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-Channel Enhancement Mode PolarHT™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density | IXYS 艾赛斯 | | ||
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 文件：236.31 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
PolarHT HiPerFET Power MOSFET 文件：314.72 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
PolarHT HiPerFET Power MOSFET 文件：314.72 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
110N10产品属性
- 类型
描述
- Configuration：
N channel
- ESD：
NO
- VDS(max)：
100V
- Id at 25℃(max)：
110A
- PD(max)：
220W
- Vgs(th)typ(V)：
3V
- RDS(on)(typ)(@10V)：
7.8mΩ~9mΩ
- Qg(nC)：
163
- Ciss：
6500
- Crss：
330
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GOFORD |
2022+ |
TO-220 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
AO/万代 |
23+ |
SOP-8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
6000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
110N10芯片相关品牌
110N10规格书下载地址
110N10参数引脚图相关
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- 240m
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- 110PT
- 110PC
- 110-P/TABS/168-05943
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- 110-P/HDW-ASSM
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- 110-P/2 HEX
- 110-P
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2019-3-13
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