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ET110N10-Z

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COPAL

尼得科科智博电子

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 17mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

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IXYS

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

文件:314.72 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

更新时间:2025-8-13 18:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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