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10N65P

650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description The AP10N65F/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system min

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更新时间:2025-8-14 23:01:00
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