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N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.75Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.75Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ?

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ?

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ?

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-10-29 11:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
25+23+
TO-220-3L
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绝对原装正品全新进口深圳现货
士兰微
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TO220F
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