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NDF10N62ZG

N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ?

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.75Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ?

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.75Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ?

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ONSEMI

安森美半导体

NDF10N62ZG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDF10N62ZG

  • 功能描述

    MOSFET Single N-Ch 620V 5.7A, 10A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
TO-220F
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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TO-220
67500
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全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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TO-220F
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