位置：首页 > IC中文资料第12804页 > 07N20
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PowerFiledEffectTransistor FEATURES ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ●DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ●IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |  |   | |
N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
SIPMOSPowerTransistor Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
SIPMOS횘PowerTransistorFeaturesNchannelEnhancementmodeAvalancherated 文件：830.68 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SIPMOS횘PowerTransistorFeaturesNchannelEnhancementmodeAvalancherated 文件：830.68 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
07N20产品属性
- 类型
描述
- 型号
07N20
- 制造商
LSI Corporation
- 功能描述
DRIVE;36GB;15K;5PK;
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
Infineon |
2022+ |
原厂原封 |
57550 |
||||
INFINEO |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2024+实力库存 |
TO-252 |
2500 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
infineon |
1415+ |
TO-252(DPAK) |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-252 |
60000 |
原装正品进口现货 |
|||
IR |
23+ |
TO252-3 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
infineon |
2023+ |
P-TO252 |
16800 |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
INFINE0N |
20+ |
TO-252 |
90000 |
原装正品现货/价格优势 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
TO-252 |
28800 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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2022-1-1907N03L
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2022-1-19075N15N
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2022-1-1907D101K
07D101K，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-29
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