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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
03N80	Power MOSFET 文件：3.07265 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
03N8063	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：3.16496 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CEB03N8	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED03N8	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF03N8	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP03N8	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP03N8	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP03N8 800V 4.8Ω 3A 10V CEF03N8 800V 4.8Ω 3A 10V CEB03N8 800V 4.8Ω 3A 10V ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and curre	CET 华瑞	CET

03N8供应商更多...

更新时间：2025-12-25 16:30:00

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北京京北通宇电子元件有限公司	03NR-D4K-P	JST	24.04	con	1000	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价
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2020-9-19
0348260124 进口原装连接器
针座连接器-通孔-直角-12-位置-0.079"（2.00mm）
2020-7-29
04022R102K500BA国巨/华科贴片电容器 04022R102K500BA产品资料
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2020-5-15