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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 900V, 2A, RDS(ON) = 6.8Ω @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.54046 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.24838 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:960.55 Kbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

02N9产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    02N9

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

  • 制造商

    IBM

更新时间:2026-5-22 18:23:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2511
TO-252
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
CET/華瑞
2022+
TO-252
50000
原厂代理 终端免费提供样品
CET
23+24
TO-252
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
CET
22+
TO252
50000
一级代理,放心购买!

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