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CED02N9

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 900V, 2A, RDS(ON) = 6.8W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

CED02N9

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.54046 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

CED02N9

N Channel MOSFET

CET

华瑞

Single-Ended Cordsets

Basic features Approval/Conformity CE cULus EAC WEEE

Balluff

巴鲁夫

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.24838 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-22 21:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
25+
TO-251
156612
明嘉莱只做原装正品现货
CET/華瑞
24+
TO-251
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郑重承诺只做原装进口现货
CET/華瑞
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TO251
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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CET/華瑞
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TO-251
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原厂代理 终端免费提供样品
CET
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TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货
华瑞
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货

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    CEM9435,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

    2019-11-25