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Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Industrial with high DC bulk voltage ·Switching

ISC

无锡固电

N -Channe l Power MOSFET

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

Plastic-Encapsulate MOSFETS

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.50205 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-24 20:00:00
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