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CJU02N80

Plastic-EncapsulateMOSFETS

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ZPSEMI

ZP Semiconductor

ZPSEMI
CJU02N80

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·IndustrialwithhighDCbulkvoltage ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerMOSFET

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ZPSEMI

ZP Semiconductor

ZPSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

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JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
更新时间:2024-5-13 8:00:00
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