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CJU02N80 | Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：691.21 Kbytes Page：3 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 |   | |
CJU02N80 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.50205 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Industrial with high DC bulk voltage ·Switching | ISC 无锡固电 | | ||
N -Channe l Power MOSFET 文件：422.85 Kbytes Page：2 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：1.89969 Mbytes Page：4 Pages | JIANGSU 长电科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长电 |
2020+ |
TO-252-2L |
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原装现货支持BOM配单服务 |
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CJ/长电 |
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CJ/长电 |
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TO-252 |
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长电 |
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CJ/长电 |
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CJ/长电 |
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CJ/长电 |
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TO-252 |
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CJ/长电 |
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TO-252-2L |
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CJ/长电 |
2022+ |
TO-252 |
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CJ/长电 |
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SOT-252 |
60000 |
CJU02N80规格书下载地址
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深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐 手机：18975515225 原装正品 大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2020-10-29
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