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ADL8121	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.025GHzto12GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8121isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),lownoisewidebandamplifierthatoperates from0.025GHzto12GHz. TheADL8121providesatypicalgainof16.5dB,a2.5dB	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8121ACPZN	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.025GHzto12GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8121isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),lownoisewidebandamplifierthatoperates from0.025GHzto12GHz. TheADL8121providesatypicalgainof16.5dB,a2.5dB	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
8121	BEAMPOWERTUBE 文件：891.09 Kbytes Page：8 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
8121-RC	CommonModeInductors(withOptionalHeader)Dielectricstrength:1500Vrms 文件：103.77 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
8121SHABE	Snap-actingMomentaryPushbuttonSwitches 文件：2.08001 Mbytes Page：17 Pages	ITTITT Industries ITT工业

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更新时间：2024-4-26 21:12:01

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2021-10-30
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内置低导通电阻开关：70mΩ/40mΩ瞬时PWM架构实现快速瞬态响应外部软启动限制浪涌电流电源正常指示器伪恒定频率：重载时500kHz5A连续、6A峰值负载电流能力1.5%0.6V基准电压精度输出限流电流折返式输出短路保护热关断保护，自动恢复功能符合RoHS标准且无卤素紧凑型封
2021-8-20
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2021-8-17
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内置低导通电阻开关：350/150mΩ瞬时PWM架构以实现快速瞬态响应内部软启动限制浪涌电流2％0.6V基准电压精度符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：SOT23-6
2021-8-17

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