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ADL8121ACPZN

GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.025GHzto12GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8121isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),lownoisewidebandamplifierthatoperates from0.025GHzto12GHz. TheADL8121providesatypicalgainof16.5dB,a2.5dB

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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ADL8121ACPZN

封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘,CSP 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:0.112 GHZ HIGH LINEAR LNA RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

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GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.025GHzto12GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8121isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),lownoisewidebandamplifierthatoperates from0.025GHzto12GHz. TheADL8121providesatypicalgainof16.5dB,a2.5dB

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GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.025GHzto12GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8121isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),lownoisewidebandamplifierthatoperates from0.025GHzto12GHz. TheADL8121providesatypicalgainof16.5dB,a2.5dB

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封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘,CSP 包装:托盘 描述:0.112 GHZ HIGH LINEAR LNA RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

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BEAMPOWERTUBE

文件:891.09 Kbytes Page:8 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

CommonModeInductors(withOptionalHeader)Dielectricstrength:1500Vrms

文件:103.77 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

Snap-actingMomentaryPushbuttonSwitches

文件:2.08001 Mbytes Page:17 Pages

ITTITT Industries

ITT工业

ITT
更新时间:2024-4-28 17:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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