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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SUP60N06-18 | N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs ProductSummary V(BR)DSS 60V rDS(on) 0.018Ω ID 60A | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：981.31 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
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N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：883.99 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
SUP60N06-18产品属性
- 类型
描述
- 型号
SUP60N06-18
- 功能描述
MOSFET 60V 60A 120W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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BQ |
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SMD |
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2019-10-14
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